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1SS107


SI Schottky Diode
GFX
UR 22V
IF 15mA
- -
- -
- -
- -
die 1SS107 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 22V, I = 15mA
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1SS107
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: DO-35
1SS107 Datenblatt (jpg):-
1SS107 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BAR10, [mehr]
BAR10,1N5712
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1SS107


SI Schottky Diode
GFX
UR 22V
IF 15mA
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die 1SS107 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 22V, I = 15mA
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Jaeger electronic catalog 1999
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SI Schottky Diode
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UR 22V
IF 15mA
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die 1SS107 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 22V, I = 15mA
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BAR10


SI Schottky Diode
similar to 1SS107, see note
GFX
UR 20V
IF 35mA
- -
- -
UF / IF <1V/35mA
- -
die BAR10 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 35mA, Anwend: Demodulator, VHF und UHF- Bereich
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BAR10
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-35
BAR10 Datenblatt (jpg):-
BAR10 Datenblatt (pdf):-
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BAR10


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UR 20V
IF 35mA
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UF / IF <1V/35mA
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die BAR10 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 35mA, Anwend: Demodulator, VHF und UHF- Bereich
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IF 35mA
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UF / IF <1V/35mA
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die BAR10 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 35mA, Anwend: Demodulator, VHF und UHF- Bereich
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1N5712


SI Schottky Diode
similar to 1SS107, see note
GFX
UR 20V
IF 35mA
Ptot 0.43W
- -
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TJ 200°C
die 1N5712 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 35mA, Anwend: VHF/UHF- Detektorstufen sowie Impulsstufen mit großem Dynamik- Bereich
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: 1N5712
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-35
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Ptot 0.43W
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die 1N5712 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 35mA, Anwend: VHF/UHF- Detektorstufen sowie Impulsstufen mit großem Dynamik- Bereich
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1N5712


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Ptot 0.43W
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TJ 200°C
die 1N5712 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 35mA, Anwend: VHF/UHF- Detektorstufen sowie Impulsstufen mit großem Dynamik- Bereich
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